(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUS200N08S5N023ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUS200N08S5N023ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSMD, Gull Wing
- MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1
Date Sheet
Lagernummer 1459
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：8-PowerSMD, Gull Wing
- Вид крепления：Surface Mount
- Максимальная мощность рассеяния：200W Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A Tc
- Серия：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.3m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 130μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7670pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1459
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
