(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STW24N60M2
Изображение служит лишь для справки
STW24N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus
Date Sheet
Lagernummer 1046
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
- Время отключения：14 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：MDmesh™ II Plus
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：190MOhm
- Основной номер части：STW24N
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150W
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190m Ω @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1060pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V
- Время подъема：9ns
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：61 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：18A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：600V
- Максимальный импульсный ток вывода：72A
- Высота：20.15mm
- Длина：15.75mm
- Ширина：5.15mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1046
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
