(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6524KNJTL
Изображение служит лишь для справки
R6524KNJTL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- NCH 650V 24A POWER MOSFET. R652
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：245W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：185m Ω @ 11.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 750μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1850pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：24A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.185Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：72A
- Минимальная напряжённость разрушения：650V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：654 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
