STI11NM80

Name: STMicroelectronics STI11NM80
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.7 (18 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
Date Sheet

Lagernummer 355

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：NRND (Last Updated: 8 months ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
Время отключения：46 ns
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STI11N
Число контактов：3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：150W
Время задержки включения：22 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：400m Ω @ 5.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1630pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43.6nC @ 10V
Время подъема：17ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.4Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：800V
Максимальный импульсный ток вывода：44A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 355

Итого $0.00000