RQ3L050GNTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3L050GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 0.8515539 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (13 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Date Sheet

Lagernummer 1759

1+： $0.85155
10+： $0.80335
100+： $0.75788
500+： $0.71498
1000+： $0.67451

Zwischensummenbetrag $0.85155

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：14.8W Tc
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：61m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：300pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.8nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：5A
Сопротивление открытого канала-макс：0.086Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：20A
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：3.9 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1759

1+： $0.85155
10+： $0.80335
100+： $0.75788
500+： $0.71498
1000+： $0.67451

Итого $0.85155