Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN2R9-30MLC,115
Изображение служит лишь для справки
PSMN2R9-30MLC,115
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-1210, 8-LFPAK33
- PSMN2R9-30MLC - N-channel 30 V 2.95 m? logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
- Date Sheet
Lagernummer 696
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-1210, 8-LFPAK33
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:70A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:91W Tc
- Время отключения:24.6 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:91W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:17.7 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.9m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.15V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2419pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:36.1nC @ 10V
- Время подъема:30.8ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):19.3 ns
- Непрерывный ток стока (ID):70A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:30V
- Максимальный импульсный ток вывода:523A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):75 mJ
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 696
Итого $0.00000