(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJA00EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJA00EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- Transistor MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Date Sheet
Lagernummer 439
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：48W Tc
- Время отключения：23 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество：1
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：48W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：13 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：30A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：25.6A
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Максимальный импульсный ток вывода：84A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：26.5 mJ
- Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
- Высота：1.267mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 439
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
