FDD5N50TM-WS

Name: ON Semiconductor FDD5N50TM-WS
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 546

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：40W Tc
Время отключения：28 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：UniFET™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：40W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：640pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：22ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：256 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 546

Итого $0.00000