(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS5826NLWFT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS5826NLWFT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
Date Sheet
Lagernummer 156
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：38 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：5
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.6W Ta 39W Tc
- Время отключения：15 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Число контактов：5
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：9 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：24m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：850pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
- Время подъема：32ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：24 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：26A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 156
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
