(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RD3L050SNTL1
Изображение служит лишь для справки
RD3L050SNTL1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- NCH 60V 5A POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 480
- 1+： $1.42429
- 10+： $1.34367
- 100+： $1.26761
- 500+： $1.19586
- 1000+： $1.12817
Zwischensummenbetrag $1.42429
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：15W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：109m Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：290pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.14Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：15A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 480
- 1+： $1.42429
- 10+： $1.34367
- 100+： $1.26761
- 500+： $1.19586
- 1000+： $1.12817
Итого $1.42429
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
