(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR698DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIR698DP-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Date Sheet
Lagernummer 3701
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Количество контактов：8
- Вес：506.605978mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 23W Tc
- Время отключения：8 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Код JESD-30：R-PDSO-C5
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：3.7W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：7 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：195m Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：210pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
- Время подъема：11ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：11 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：7.5A
- Пороговое напряжение：2.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Высота：1.12mm
- Длина：6.25mm
- Ширина：5.26mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3701
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
