(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB6N65M2
Изображение служит лишь для справки
STB6N65M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
Lagernummer 190
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Вес：3.949996g
- Время отключения：6.5 ns
- Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
- Серия：MDmesh™
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STB6N
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：19 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.35 Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：226pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.8nC @ 10V
- Время подъема：7ns
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：20 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Пороговое напряжение：3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：650V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 190
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
