(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPT60R022S7XTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPT60R022S7XTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- MOSFET N-CH 600V
Date Sheet
Lagernummer 3882
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
- Максимальная мощность рассеяния：390W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Серия：CoolMOS™S7
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22m Ω @ 23A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 1.44mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5639pF @ 300V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150nC @ 12V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3882
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
