Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STE139N65M5
![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-mss501200-9123.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STE139N65M5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-227-4, miniBLOC
- N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
Date Sheet
Lagernummer 453
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:130A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:672W Tc
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:MDmesh™
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STE1
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:17m Ω @ 65A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:15600pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:363nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 453
Итого $0.00000