(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS123LT7G
Изображение служит лишь для справки
BSS123LT7G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- NFET SOT23 100V 170MA 6.0
Date Sheet
Lagernummer 673
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15μA
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：20pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Код JEDEC-95：TO-236
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.17A
- Сопротивление открытого канала-макс：6Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：100V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 673
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
