(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS138LT7G
Изображение служит лишь для справки
BSS138LT7G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel
Date Sheet
Lagernummer 171
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：9 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
- Количество элементов：1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.75V 5V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA Ta
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.5 Ω @ 200mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
- Минимальная напряжённость разрушения：50V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 171
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
