Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NX3008PBKMB,315
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-pesd5v0l2umb315-8056.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NX3008PBKMB,315
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFDFN
- NX3008PBKMB - 30 V, single P-channel Trench MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 244
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-XFDFN
- Количество контактов:3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:300mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:360mW Ta 2.7W Tc
- Время отключения:65 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:715mW
- Время задержки включения:19 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.1 Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:46pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.72nC @ 4.5V
- Время подъема:30ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Время падения (тип):38 ns
- Непрерывный ток стока (ID):300mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:-30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-30V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 244
Итого $0.00000