Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN33D8LTQ-13
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-d5v0l2b3t7-6223.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN33D8LTQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-523
- MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523
Date Sheet
Lagernummer 11009
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:22 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-523
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:115mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 4V
- Максимальная мощность рассеяния:240mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:48pF @ 5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.55nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 11009
Итого $0.00000