Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMG1013TQ-7
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMG1013TQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-523
- MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Date Sheet
Lagernummer 2252
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-523
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:460mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:270mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:700m Ω @ 350mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:59.76pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.58nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±6V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.46A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.7Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2252
Итого $0.00000