Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMV30UN2VL
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PMV30UN2VL
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.4A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.2V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:490mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchMOS™
- Опубликовано:2017
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:3
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:32m Ω @ 4.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:655pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Максимальный сливовой ток (ID):4.2A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.032Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 12
Итого $0.00000