(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN30H4D0LFDE-13
Изображение служит лишь для справки
DMN30H4D0LFDE-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：22 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：550mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.7V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：630mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 300mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：187.3pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：300V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：550mA
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
