(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3J112TU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM3J112TU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-SMD, Flat Lead
- X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 8990
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.1A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：800mW Ta
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：390m Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：86pF @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.1A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.79Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 8990
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
