(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN1008UFDF-13
Изображение служит лишь для справки
DMN1008UFDF-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- Mosfet Bvdss: 8V~24V U-DFN2020-6 T&r 10K
Date Sheet
Lagernummer 17725
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：700mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2017
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8m Ω @ 5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：995pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23.4nC @ 8V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：12.2A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0125Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：12V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 17725
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
