Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMP2035UVTQ-13

Изображение служит лишь для справки






DMP2035UVTQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
Date Sheet
Lagernummer 5947
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2W Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:35m Ω @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2400pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:23.1nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Максимальный сливовой ток (ID):5.2A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.045Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:24A
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 5947
Итого $0.00000