(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB4N62K3
Изображение служит лишь для справки
STB4N62K3
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 310
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
- Время отключения：29 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：SuperMESH3™
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：1.95Ohm
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：STB4N
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：70W
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.95 Ω @ 1.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 50μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：450pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14nC @ 10V
- Время подъема：9ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：19 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：620V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 310
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
