FQB4N80TM

Name: ON Semiconductor FQB4N80TM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 1172

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.13W Ta 130W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：3.6Ohm
Ток постоянного напряжения - номинальный：800V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：3.9A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.13W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.6 Ω @ 1.95A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：880pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 10V
Время подъема：45ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.9A
Пороговое напряжение：5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：800V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：460 mJ
Высота：4.83mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1172

Итого $0.00000