NVMFS4C01NT1G

Name: ON Semiconductor NVMFS4C01NT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Date Sheet

Lagernummer 281

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：49A Ta 319A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.84W Ta 161W Tc
Время отключения：53 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：29 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.9m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10144pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：139nC @ 10V
Время подъема：68ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：319A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.00095Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：900A
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 281

Итого $0.00000