(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQPF6N80CT
Изображение служит лишь для справки
FQPF6N80CT
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Date Sheet
Lagernummer 593
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
- Срок поставки от производителя：9 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Вес：2.27g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：51W Tc
- Время отключения：47 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：QFET®
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：51W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Время задержки включения：26 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 2.75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1310pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
- Время подъема：65ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：44 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.5A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：800V
- Максимальный импульсный ток вывода：22A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：680 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 593
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
