Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STH80N10F7-2

Изображение служит лишь для справки






STH80N10F7-2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Date Sheet
Lagernummer 705
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:37 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Вес:3.949996g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:2
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Время отключения:36 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:DeepGATE™, STripFET™ VII
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:ULTRA LOW-ON RESISTANCE
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STH80N
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:19 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.5m Ω @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3100pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:45nC @ 10V
- Время подъема:32ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):13 ns
- Непрерывный ток стока (ID):80A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0095Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:100V
- Высота:4.8mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:9.17mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 705
Итого $0.00000