(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB95N4F3
Изображение служит лишь для справки
STB95N4F3
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 589
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
- Время отключения：40 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：STripFET™ III
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：5MOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Основной номер части：STB95N
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：110W
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8m Ω @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：54nC @ 10V
- Время подъема：50ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 589
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
