(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RSH100N03TB1
Изображение служит лишь для справки
RSH100N03TB1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 10A SOP8
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2W Ta
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13.3m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1070pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 5V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
