(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK2P60D(TE16L1,NQ)
Изображение служит лишь для справки
TK2P60D(TE16L1,NQ)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：PW-MOLD
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
- Время отключения：55 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：π-MOSVII
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：60W
- Время задержки включения：35 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.3Ohm @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：280pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Входной ёмкости：280pF
- Rds на макс.：4.3 Ω
- Высота：2.3mm
- Длина：6.5mm
- Ширина：5.5mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
