Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD50N08S413ATMA1

Изображение служит лишь для справки






IPD50N08S413ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 80V 50A
Date Sheet
Lagernummer 7979
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:50A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:72W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Опубликовано:2013
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:72W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13.2m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 33μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1711pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:30nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):50A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:80V
- Максимальный импульсный ток вывода:200A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):76 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 7979
Итого $0.00000