(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF634B-FP001
Изображение служит лишь для справки
IRF634B-FP001
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Вес：1.8g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.1A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：74W Tc
- Время отключения：100 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：74W
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.05A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
- Время подъема：75ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：65 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：8.1A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：250V
- Максимальный импульсный ток вывода：32.4A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
