IPL65R1K5C6SATMA1

Name: Infineon Technologies IPL65R1K5C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (11 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
Date Sheet

Lagernummer 3847

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Вес：75.891673mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：26.6W Tc
Время отключения：33 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：CoolMOS™ C6
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-N5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：7.7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 100μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：225pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 10V
Время подъема：5.9ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：18.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：650V
Напряжение пробоя стока к истоку：650V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：26 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 3847

Итого $0.00000