FQPF3N25

Name: ON Semiconductor FQPF3N25
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 138

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：5.5 ns
Максимальная мощность рассеяния：27W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.3A Tc
Опубликовано：2013
Серия：QFET®
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：250V
Моментальный ток：2.3A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：27W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：6.6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.2 Ω @ 1.15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：170pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.2nC @ 10V
Время подъема：25ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：250V
Максимальный импульсный ток вывода：9.2A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：40 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 138

Итого $0.00000