(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK60P03M1,RQ(S
Изображение служит лишь для справки
TK60P03M1,RQ(S
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：DPAK
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：63W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI-H
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.4mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2700pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
- Время подъема：4.3ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：11 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：60A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：2.7nF
- Rds на макс.：6.4 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
