(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMT10H009LSS-13
Изображение служит лишь для справки
DMT10H009LSS-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Date Sheet
Lagernummer 5898
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：22 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A Ta 48A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2309pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 5898
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
