FDD6N50TM

Name: ON Semiconductor FDD6N50TM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE
Date Sheet

Lagernummer 653

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：89W Tc
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：UniFET™
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：900mOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：FDD6N50
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：89W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：900m Ω @ 3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.6nC @ 10V
Время подъема：55ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：24A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：270 mJ
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 653

Итого $0.00000