BSZ0502NSIATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
Date Sheet

Lagernummer 414

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Ta 40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 43W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2013
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：S-PDSO-N3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1600pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：40A
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：22A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0033Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：160A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：30 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 414

Итого $0.00000