Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMNH6012LK3-13

Изображение служит лишь для справки






DMNH6012LK3-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- MOSFET NCH 60V 60A TO252
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:60A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2W Ta
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1926pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:35.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):60A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.018Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:120A
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):100 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 29
Итого $0.00000