FQB10N20CTM

Name: Rochester Electronics, LLC FQB10N20CTM
Brand: Rochester Electronics, LLC
Rating: 4.5 (6 reviews)

Rochester Electronics, LLC
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：72W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT APPLICABLE
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT APPLICABLE
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：360m Ω @ 4.75A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：510pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±30V
Максимальный сливовой ток (ID)：9.5A
Сопротивление открытого канала-макс：0.36Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：38A
Минимальная напряжённость разрушения：200V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：210 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000