(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF8113GPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF8113GPBF
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- HEXFET POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.6mOhm @ 17.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2.91pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
