(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQU1N60TU
Изображение служит лишь для справки
FQU1N60TU
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 30W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：QFET®
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT APPLICABLE
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT APPLICABLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.5 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：1A
- Максимальный импульсный ток вывода：4A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
