(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPN60R2K1CEATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPN60R2K1CEATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-223-3
- MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 61397
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-223-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.7A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：5W Tc
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：CoolMOS™
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.1 Ω @ 800mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 60μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：140pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
- Пороговое напряжение：3V
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Характеристика ТРП：Super Junction
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 61397
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
