(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI126N10N3 G
Изображение служит лишь для справки
IPI126N10N3 G
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO262-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：58A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：94W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：OptiMOS™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12.6mOhm @ 46A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 46μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2.5pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
