(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP65R660CFDXKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPP65R660CFDXKSA1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO220-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：62.5W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：CoolMOS™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：660mOhm @ 2.1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：615pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
