SPB02N60S5ATMA1

Name: Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Date Sheet

Lagernummer 109

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：25W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.8A Tc
Опубликовано：2005
Серия：CoolMOS™
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3 Ω @ 1.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 80μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：240pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.5nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：1.8A
Сопротивление открытого канала-макс：3Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 109

Итого $0.00000