IPD06N03LB G

Name: Infineon Technologies IPD06N03LB G
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Date Sheet

Lagernummer 266

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：83W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.1m Ω @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 40μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2800pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Код JEDEC-95：TO-252AA
Максимальный сливовой ток (ID)：50A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0061Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：200A
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：160 mJ
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 266

Итого $0.00000