(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF8113TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF8113TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 2995
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Время отключения：17 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2005
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：5.6MOhm
- Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
- Моментальный ток：16.6A
- Конфигурация：Single
- Интервал строк：6.3 mm
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2.5W
- Время задержки включения：13 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.6m Ω @ 17.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2910pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36nC @ 4.5V
- Время подъема：8.9ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：3.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：17.2A
- Пороговое напряжение：2.2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Двухпитание напряжения：30V
- Номинальное Vgs：2.2 V
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead, Lead Free
Со склада 2995
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
